[发明专利]图像传感器及其制造方法

摘要

本发明涉及图像传感器及其制造方法。在具有氧化物半导体TFT作为开关元件的用于FPD的图像传感器的制造中，在形成作为光电转换元件的a‑Si光电二极管(PD)时，原料气体中包含的大量氢气在氧化物半导体中扩散，导致TFT的特性大幅变动，由此TFT可能不操作。在基板上依次形成了氧化物半导体TFT和a‑Si PD的图像传感器中，在氧化物半导体TFT和PD之间配置气体阻隔膜，氧化物半导体TFT的漏极端子(漏极金属)经由形成在设于PD上的保护膜上的连接布线(桥接布线)连接到PD的一个端子(下部电极)。

主权项

一种图像传感器，所述图像传感器包括：开关元件，所述开关元件包括多个氧化物半导体TFT；气体阻隔膜；光电转换元件，所述光电转换元件包括具有非晶硅的光电二极管；以及保护膜，所述开关元件、所述气体阻隔膜、所述光电转换元件以及所述保护膜在基板上依次层叠；其中，连接布线配置在覆盖所述光电转换元件的所述保护膜上，并将所述开关元件的漏极电极经由接触孔电连接到所述光电转换元件的一个端子。