[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710037818.4 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108321202A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部，所述半导体衬底表面具有隔离层，所述隔离层顶部表面低于所述鳍部的顶部表面，且覆盖所述鳍部的部分侧壁；在所述鳍部内形成源漏开口；对所述隔离层进行非晶化处理，在所述隔离层表面形成保护层；形成所述保护层之后，在所述源漏开口内形成源漏掺杂层；对所述源漏掺杂层底部的鳍部进行第一离子注入。所述方法隔离层的隔离性能较好，所形成的半导体结构性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 半导体结构 隔离层 源漏开口 保护层 掺杂层 衬底 源漏 半导体 半导体衬底表面 非晶化处理 隔离层表面 隔离层顶部 顶部表面 隔离性能 侧壁 离子 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部，所述半导体衬底表面具有隔离层，所述隔离层顶部表面低于所述鳍部的顶部表面，且覆盖所述鳍部的部分侧壁；在所述鳍部内形成源漏开口；对所述隔离层进行非晶化处理，在所述隔离层表面形成保护层；形成所述保护层之后，在所述源漏开口内形成源漏掺杂层；对所述源漏掺杂层底部的鳍部进行第一离子注入。
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