[发明专利]一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法

摘要

本发明涉及一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，包括以下步骤贴UV膜，将晶圆正面朝下放置在贴膜机中间悬空的真空吸盘正中央；切割，采用台阶切割，两步切割连续完成，前切刀片切割的厚度为晶圆总厚度的20％～60％，后切刀片将晶圆划透；清洗和甩干，将固定在锈钢框架上的晶圆整体放在可旋转的陶瓷密孔吸盘上，陶瓷密孔吸盘固定不锈钢框架的四周，陶瓷密孔吸盘上方设有喷液系统，喷液系统包含若干个可左右摆动喷洒溶液的喷头，喷头喷洒液体清洗晶圆，陶瓷密孔吸盘高速旋转，将废液甩出；照射；对晶圆进行扩膜；利用芯片拾取设备将芯片从UV膜取下放入托盘中；把托盘放在去胶机设备中，进行结构释放。不需要两次对位，保证了两次切割位置的精准性。

主权项

一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：贴UV膜，将晶圆正面朝下放置在贴膜机吸盘正中央，所述吸盘为中间悬空的真空吸盘，UV膜外周固定在不锈钢框架上；步骤2：切割，采用台阶切割，两步切割连续完成，沿切割方向上设有两个对齐的切刀片，两个切刀片连续切割；前切刀片先切割晶圆，后切刀片后切割晶圆，前切刀片切割的厚度为晶圆总厚度的20％～60％，后切刀片将晶圆划透，且不划透所述UV膜，切割的进刀速度3～30mm/s，前后切刀片的厚度为30～60μm，两次切割后，晶圆全划透，切割成单个芯片；步骤3：清洗和甩干晶圆；步骤4：照射，使用UV照射机，对晶圆背面的UV膜进行照射30～100s，调节UV灯管能量在120～360mJ/cm2之间，可将UV膜的粘性降到以前的1～10％；步骤5：利用扩膜机对晶圆进行扩膜处理，使所有芯片向四周均匀扩开；步骤6：利用芯片拾取设备，将芯片从UV膜取下放入专门MEMS释放石英托盘中；步骤7：把托盘放在去胶机设备中，进行结构释放。