[发明专利]一种添加晶粒长大抑制剂的WC-Co纳米粉末的制备方法

摘要

本发明提供了一种添加晶粒长大抑制剂的WC‑Co纳米粉末的制备方法，属于粉末冶金粉末制备技术领域。具体制备方法为：以偏钨酸铵、硝酸钴、燃料、硝酸铵、所需添加的晶粒长大抑制剂的金属盐和有机碳源为原料，采用低温燃烧合成法制备氧化物/碳复合粉末，然后在气氛保护下或者真空下进行碳化得到晶粒长大抑制剂掺杂的WC‑Co纳米粉末。本发明采用的低温燃烧合成法属于液相合成法，可以达到了分子级别的混合，这就使得碳化过程中碳质的扩散程短，反应温度和时间要求较低。另外本方法的原料简单易得，设备简单，工艺快捷，适合进行大规模生产。

主权项

1.一种添加晶粒长大抑制剂的WC‑Co纳米粉末的制备方法，其特征在于制备步骤如下：(1)采用低温燃烧合成法制备前驱体，制备前驱体的过程是：将偏钨酸铵、硝酸钴、燃料、硝酸铵按一定的摩尔比例溶解于去离子水中配置成水溶液，在水溶液中加入所需量的晶粒长大抑制剂的金属盐和有机碳源，使其溶解；将溶液加热至发生燃烧反应，得到蓬松的前驱体粉末；(2)将得到的前驱体粉末研磨，然后放入管式炉或真空炉中进行碳化，即可得到添加晶粒长大抑制剂的WC‑Co纳米粉末；步骤(1)中的燃料为甘氨酸、尿素、EDTA、硫脲中的至少一种；步骤(1)中的所需添加的晶粒长大抑制剂金属盐为硝酸铬、钼酸铵、钒酸铵、硝酸铌酰、硝酸钽酰、硝酸镧、硝酸钇中的至少一种；步骤(1)中的所需的有机碳源为葡萄糖、可溶性淀粉、柠檬酸中的至少一种；步骤(1)中的偏钨酸铵、硝酸钴、燃料和硝酸铵摩尔比例为1：(2.5～13)：(10～15):(15～25)。