[发明专利]开沟槽结合坝装置及其制造方法在审
申请号: | 201710038832.6 | 申请日: | 2017-01-19 |
公开(公告)号: | CN106997885A | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 陈腾盛;涂智宏;梁桂珍;张家扬 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种开沟槽结合坝装置以及相应的制造方法。开沟槽结合坝装置包括位于基板的顶部表面上的结合坝结构。结合坝结构具有附接至基板的顶部表面的底部表面、由外坝围绕的内坝以及位于内坝和外坝之间的沟槽。装置进一步包括光学系统和粘合剂,光学系统具有透镜,粘合剂位于介于光学系统的底部表面和内坝与外坝中的至少一个的顶部表面之间的结合区域内。沟槽被加工成一定尺寸以在将基板结合至光学系统期间接收从结合区域侧向流出的一部分多余粘合剂,从而侧向地限制多余粘合剂并且降低粘合剂的侧向渗出。 | ||
搜索关键词: | 沟槽 结合 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于组装开沟槽结合坝装置的方法,其特征在于,包括:将结合坝结构附接在基板的顶部表面上,所述结合坝结构具有(i)附接至基板的顶部表面的底部表面,(ii)由外坝围绕的内坝,以及(iii)位于所述内坝和所述外坝之间的沟槽;将光学系统相对于基板上的基板元件对准,所述光学系统具有透镜;以及将对准的基板和光学系统彼此结合,所述光学系统的底部表面与内坝和外坝中的至少一个的顶部表面相联接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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