[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710039936.9 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108321083B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底内具有源漏掺杂区，所述栅极结构的顶部表面具有第一停止层，所述源漏掺杂区表面具有第二停止层，所述半导体衬底、源漏掺杂区和栅极结构上具有层间介质层，所述层间介质层位于第一停止层和第二停止层表面；在所述层间介质层中形成暴露出第一停止层的第一开口；在所述层间介质层中形成暴露出第二停止层的第二开口；去除第一开口底部的第一停止层，形成第一接触孔；去除第二开口底部的第二停止层，形成第二接触孔；在所述第一接触孔和第二接触孔内形成导电插塞。所形成的半导体接触电阻较小，性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底内具有源漏掺杂区，所述栅极结构的顶部表面具有第一停止层，所述源漏掺杂区表面具有第二停止层，所述半导体衬底、源漏掺杂区和栅极结构上具有层间介质层，所述层间介质层位于第一停止层和第二停止层表面；在所述层间介质层中形成暴露出所述第一停止层的第一开口；在所述层间介质层中形成暴露出所述第二停止层的第二开口；去除第一开口底部的第一停止层，形成第一接触孔；去除第二开口底部的第二停止层，形成第二接触孔；在所述第一接触孔和第二接触孔内形成导电插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
