[发明专利]一种稀土掺杂的不同形貌钛酸铋纳米晶薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201710040816.0 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN106810238B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 刘晓芳;刘壮;王荣威;陶柱;李园;孙华君 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C04B35/475;C04B35/624;C03C17/22;C23C18/12 |
代理公司: | 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 崔友明 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种稀土掺杂的不同形貌钛酸铋纳米晶薄膜及其制备方法,该钛酸铋纳米晶薄膜化学式为Bi | ||
搜索关键词: | 一种 稀土 掺杂 不同 形貌 钛酸铋 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种稀土掺杂的钛酸铋纳米晶薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/n(a)将基片清洗干净,封存备用;/n(b)将硝酸铋和硝酸R溶解在乙二醇甲醚中得A溶液,将钛酸四丁酯溶于乙二醇甲醚和乙酰丙酮混合液中得B溶液,将B溶液滴入A溶液中搅拌均匀得BRT溶胶;/n(c)将制得的BRT混合溶胶旋涂在基片上,高温退火处理后在基片上制得晶种层;/n(d)配制硝酸铋-硝酸R溶液,配制四氯化钛溶液,将硝酸铋-硝酸R溶液滴入四氯化钛溶液中,搅拌均匀并调节pH至碱性得前驱物溶液;/n(e)将表面制有晶种层的基片置于装有前驱物溶液的反应器中,进行水热反应即得;/n步骤(d)中制备硝酸铋-硝酸R溶液时首先向水中滴加少量硝酸,再将硝酸铋和硝酸R溶于水溶液得硝酸铋-硝酸R溶液,制备四氯化钛溶液时将四氯化钛溶于冰水中;/n制得的钛酸铋纳米晶薄膜由稀土掺杂钛酸铋铁电薄膜形成,化学式为Bi
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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