[发明专利]一种有机电致发光器件的薄膜封装结构及制备方法

摘要

一种有机电致发光器件的薄膜封装结构及方法，属于有机电致发光领域。该电致发光器件的结构包括：在待封装的OLED器件阴极上形成一层出光层，出光层上形成一层薄膜封装层，薄膜封装层上覆盖面胶及玻璃盖板，形成器件。本发明还公开了该封装结构的制作方法：所述出光层由硅氧化物组成，所述薄膜封装层由无机氧化物薄膜、聚硅氧烷组成，所述封装面胶主要由聚硅氧烷、环氧树脂或丙烯酸构成。通过本发明技术方案，有机电致发光器件出光效率和水氧阻隔能力得到有效提升，增加了器件寿命。

主权项

1.一种有机电致发光器件的薄膜封装结构，其特征在于它包括待封装的OLED器件基板（1），基板（1）上设有顶发射OLED器件（2）；顶发射OLED器件（2）上覆盖有出光层（3）；该出光层覆盖在顶发射OLED器件（2）的阴极上；出光层（3）上覆盖有封装层（4），封装层（4）由无机氧化物（41）和缓冲层（42）交替形成；封装层（4）通过粘合层（5）与盖板玻璃（6）相连；所述的封装层（4）采用无机氧化物层、缓冲层交替的方式形成在出光层上，其中最下层的无机氧化物层紧邻出光层；所述的无机氧化物层采用多层金属氧化物交替形成，所述金属氧化物为Al₂O₃、MgO、TiO₂、ZrO₂或以上各组组合；所述无机氧化物层的厚度为10‑100nm；所述无机氧化物层的折射率为1.45‑1.57；所述无机氧化物层采用ALD沉积的方式，工艺温度为80‑100℃；所述缓冲层为聚硅氧烷；所述封装层的透射率>70%@524nm；所述出光层（3）的厚度为10‑100nm；所述出光层（3）的折射率范围为1.57‑1.75；所述缓冲层采用旋涂的方式进行生长，缓冲层厚度为300nm‑2um，工艺温度为80‑100℃。