[发明专利]Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制法和用途有效

专利信息
申请号: 201710043512.X 申请日: 2017-01-19
公开(公告)号: CN106800297B 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 罗军华;赵炳卿;赵三根 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C01B33/20 分类号: C01B33/20;G02F1/355;C30B29/34;C30B28/02;C30B9/08
代理公司: 福州市众韬专利代理事务所(普通合伙) 35220 代理人: 方金芝;黄秀婷
地址: 350000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供Rb2ZnSi3O8化合物、Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体及其制备方法和用途,涉及非线性光学晶体材料领域;Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体在1064nm处的倍频转换效率约为KH2PO4(KDP)晶体的0.5倍,其紫外吸收截止边短于200nm,且不吸潮;采用助熔剂法,以Rb2O‑B2O3作助熔剂可以生长出具有一定尺寸的透明的Rb2ZnSi3O8非线性光学晶体;Rb2ZnSi3O8晶体物理化学性质稳定、硬度适中,易于加工、保存和使用,可用于制作非线性光学器件,开拓紫外与深紫外波段的非线性光学应用。
搜索关键词: rb2znsi3o8 化合物 非线性 光学 晶体 及其 制法 用途
【主权项】:
1.Rb2ZnSi3O8的化合物,其特征在于:所述的Rb2ZnSi3O8的化合物的化学式为Rb2ZnSi3O8。
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