[发明专利]一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法在审
| 申请号： | 201710043631.5 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106876585A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 仪明东;张晨曦;陈艳;李焕群;凌海峰;解令海;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;H01L51/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 李湘群 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，包括以下具体步骤首先制备具有聚合物修饰层的栅绝缘基片；对所述栅绝缘基片进行快速退火操作；在聚合物修饰层上蒸镀有机半导体层及源漏电极，制备有机场效应晶体管；测试所述晶体管的转移特性曲线，提取对应的迁移率，并计算平均迁移率。本发明进一步提出一种根据上述通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法制备的有机场效应晶体管。本发明还提供了上述有机场效应晶体管的制备方法。本发明通过简单的溶液加工工艺，有效地提高有机场效应晶体管的迁移率，便于推广、应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 快速 退火 提高 有机 场效应 晶体管 迁移率 方法 | ||
【主权项】：
一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，其特征在于，包括以下具体步骤：(1)、制备具有聚合物修饰层的栅绝缘基片；(2)、对所述栅绝缘基片进行快速退火操作；(3)、在聚合物修饰层上蒸镀有机半导体层及源漏电极，制备有机场效应晶体管；(4)、测试所述晶体管的转移特性曲线，提取对应的迁移率，并计算平均迁移率。
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