[发明专利]一种等离子刻蚀设备有效
申请号: | 201710045892.0 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN106653595B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 尤春;刘维维;沙云峰 | 申请(专利权)人: | 无锡中微掩模电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/67 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 张荣 |
地址: | 214135 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种等离子刻蚀设备,包括反应腔室,反应腔室内设置相对平行放置的正电极板和负电极板,反应腔室左侧设置有气体入口,反应腔室右下侧处设置有气体出口和掩膜版;所述负电极板设置于反应腔室的上方,所述负电极板和掩膜版相互连接,掩膜版位于负电极板的下方,掩膜版的版面朝下;所述正电极板设置于反应腔室的下方,与掩膜版相对。本发明掩模版的表面朝下,颗粒在处理过程中不会落下,避免了图形未被刻蚀出或图形未被完全刻蚀的发生。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
1.一种等离子刻蚀设备,包括反应腔室(1),反应腔室内设置相对平行放置的正电极板(2)和负电极板(3),反应腔室左侧设置有气体入口(4),反应腔室右下侧处设置有气体出口(5);其特征在于:所述负电极板(3)设置于反应腔室(1)的上方,所述负电极板(3)和待 刻蚀的掩膜版(6)相互连接,待 刻蚀的掩膜版(6)位于负电极板(3)的下方,待 刻蚀的掩膜版(6)的版面朝下;所述正电极板(2)设置于反应腔室(1)的下方并与待 刻蚀的掩膜版(6)相对,所述负电极板(3)上设置有气孔(8),真空通过负电极板(3)上的气孔(8)把负电极板(3)和待 刻蚀的掩膜版(6)吸附连接在一起,或者,负电极板(3)和待 刻蚀的掩膜版(6)通过机械连接方式连接在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造