[发明专利]接近传感器的改良结构在审

专利信息
申请号: 201710047140.8 申请日: 2017-01-20
公开(公告)号: CN108333639A 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: 苏瑞·巴舒·尼加古纳 申请(专利权)人: 光宝新加坡有限公司
主分类号: G01V8/12 分类号: G01V8/12
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;章侃铱
地址: 新*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 发明公开一种接近传感器的改良结构,其包括基板、发射单元、接收单元、封装单元及遮蔽单元,基板具有一发射端区域及一接收端区域,发射单元设置于发射端区域上,接收单元设置于接收端区域上,封装单元包括一用于覆盖发射单元的第一封装体及一用于覆盖接收单元的第二封装体,遮蔽单元包括一形成于第一封装体的外表面上的第一金属遮蔽薄膜及一形成于第二封装体的外表面上的第二金属遮蔽薄膜,其中第一封装体的外表面与第二封装体的外表面之间的最小距离小于50微米。通过上述设计,本发明提能有效缩减传感器的体积。
搜索关键词: 封装体 发射单元 接收单元 接近传感器 封装单元 改良结构 金属遮蔽 遮蔽单元 发射端 接收端 基板 薄膜 最小距离 传感器 覆盖
【主权项】:
1.一种接近传感器的改良结构,其特征在于,所述接近传感器的改良结构包括:一基板,其具有一发射端区域以及一位于所述发射端区域一侧的接收端区域;一发射单元,其设置于所述发射端区域上;一接收单元,其设置于所述接收端区域上;一封装单元,其包括一第一封装体以及一第二封装体,所述第一封装体覆盖所述发射单元,所述第二封装体覆盖所述接收单元;以及一遮蔽单元,其包括一形成于所述第一封装体的外表面上的第一金属遮蔽薄膜以及一形成于所述第二封装体的外表面上的第二金属遮蔽薄膜,所述第一金属遮蔽薄膜具有一对应于所述发射单元的第一开口,所述第二金属遮蔽薄膜具有一对应于所述接收单元的第二开口;其中,所述第一封装体的外表面与所述第二封装体的外表面之间的最小距离小于50微米。
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