[发明专利]一种晶片厚度测量装置及其测量方法有效
| 申请号： | 201710048951.X | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106839937B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 冯克耀;杨丽莉;俞宽;蒋智伟;蔡家豪;邱智中;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | G01B5/06 | 分类号： | G01B5/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片厚度测量装置及其测量方法，其至少包括：测量平台及放置于所述测量平台上的支架，所述测量平台用于放置若干个待测晶片，所述支架上设置有用于测量晶片厚度的若干个测量表，其特征在于：所述厚度测量装置用于同时测量所述若干个待测晶片，所述支架为环形支架，所述环形支架还设置有一朝向环形支架中心的副支架，且所述测量表的个数大于所述待测量晶片的个数。本发明提供的厚度测量装置通实现一次校零后一次测量并且同时得到待测晶片上待测位置的厚度，避免测量表的频繁操作及晶片的移动，提高工作效率，同时减小测量表的损坏，提高测量的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 厚度 测量 装置 及其 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片厚度测量装置，包括：测量平台及放置于所述测量平台上的支架，所述测量平台用于放置若干个待测晶片，所述支架上设置有用于测量晶片厚度的若干个测量表，其特征在于：所述厚度测量装置用于同时测量所述若干个待测晶片；所述支架为环形支架，所述环形支架上还设置有一朝向环形支架中心的副支架；且所述测量表的个数大于所述待测量晶片的个数，所述测量表包括若干个第一测量表和至少1个第二测量表，所述若干个第一测量表设置于所述环形支架上，所述第二测量表设置于所述副支架上，每一个第一测量表用于测量相对应待测晶片的其中某个待测点的厚度，其中一个第一测量表与所述第二测量表用于分别测量同一待测晶片不同位置处的厚度，所述若干个第一测量表用于测量不同晶片同一待测点的厚度，所述第一测量表与所述第二测量表的总数目小于晶片待测点的数目，所述第一测量表的个数与所述待测晶片的个数相同；所述测量装置还包括数据采集处理装置，数据采集处理装置通过数据采集处理软件，采集各第一测量表及第二测量表的数据，并通过处理软件内置的运算关系式得出晶片其余各待测点的厚度数据。
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