[发明专利]肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201710049200.X | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN108336150B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/12;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法，一种肖特基二极管，其包括：一第一电极，该第一电极包括一台阶状结构；一第二电极，该第二电极包括反向台阶状结构；一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端以及第一端和第二端之间的中间部，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其包括：一第一电极，该第一电极包括一第一金属层及一第二金属层，第一金属层和第二金属层层叠设置，第一金属层的侧面和第二金属层的上表面形成一台阶状结构；一第二电极，该第二电极包括一第三金属层及一第四金属层，第三金属层和第四金属层层叠设置，第三金属层的下表面与第四金属层的侧面形成一反向台阶状结构；一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端以及第一端和第二端之间的中间部，所述半导体结构的第一端被第一金属层和第二金属层夹持，所述半导体结构的第二端被第三金属层和第四金属层夹持，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。
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