[发明专利]一种CVD碳化硅材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种CVD碳化硅材料的制备方法，包含如下步骤将基板置于冷壁式化学气相沉积腔体中的加热台上，将真空度调至10Pa以下，预热基板，保温。以稀释气Ar将前驱体HMDS带入反应腔体，调节反应腔体压强(Pdep)至400～800Pa；打开激光，照射基板，激光波长为808nm；调节激光功率，使基板温度升(Tdep)至1100～1200℃，沉积薄膜，保温；停止通入HMDS和Ar，关闭激光，抽真空至10Pa以下，并自然冷却至室温。本发明的有益效果是沉积碳化硅材料的同时，抑制了杂质碳的生成，提高材料的电阻率、击穿电场强度和抗腐蚀等理化性能；电阻率可高于含有杂质碳的碳化硅材料2个数量级。

主权项

一种CVD碳化硅材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将基板置于冷壁式化学气相沉积腔体中的加热台上，将真空度调至10Pa以下，加热基板，并保温；(2)以稀释气将前驱体带入反应腔体，调节反应腔体内压强(Pdep)至400～800Pa；(3)打开激光，激光波长为808nm，照射基板；(4)调节激光功率，使基板温度(Tdep)升至1100～1200℃沉积薄膜，保温10min；(5)停止通入稀释气和前驱体，关闭激光，抽真空至10Pa以下，材料自然冷却至室温。