[发明专利]Ga2O3肖特基二极管器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710050140.3 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106887470B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;邢翔宇;韩根全;李翔;方立伟;黄璐;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/34 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Ga2O3肖特基二极管器件结构与制造方法，主要解决现有肖特基二极管器件反向击穿电压低和场板结构存在的寄生电容大的问题。其自下而上，包括阴极电极、高掺杂n型Ga2O3衬底、低掺杂n型Ga2O3外延层、阳极电极；阳极与外延层接触的部分形成肖特基接触，阴极与衬底形成欧姆接触，低掺杂n型Ga2O3外延层上间隔分布有多个凹槽，凹槽的间距在0.3μm～0.5μm范围内依次增加，且第一个凹槽位于阳极边缘的正下方，最后一个凹槽与第一个凹槽的距离为10μm～15μm，凹槽内部外延生长有Al组分大于20％的AlGaO层。本发明提高了反向击穿电压，减小寄生电容，且保持正向特性不变，可用于高速集成电路和微波技术。 | ||
| 搜索关键词： | ga2o3 肖特基 二极管 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ga2O3肖特基二极管器件结构，自下而上包括高掺杂n型Ga2O3衬底和低掺杂n型Ga2O3外延层，该外延层上淀积有阳极电极，高掺杂衬底的下表面淀积有阴极电极，阳极与外延层接触的部分形成肖特基接触，阴极与衬底形成欧姆接触，其特征在于：所述低掺杂n型Ga2O3外延层上的肖特基接触区域两侧分别设有M个凹槽，M≥4，凹槽的间距在0.3μm～0.5μm范围内依次增加，且第一个凹槽位于阳极边缘的正下方，第M个凹槽与第一个凹槽的距离为10μm～15μm，凹槽内生长有Al组分大于20％的AlGaO。
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