[发明专利]高击穿电压场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710050362.5 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106898644B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 冯倩;方立伟;韩根全;李翔;邢翔宇;黄璐;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高击穿电压场效应晶体管及其制作方法，其自下而上包括衬底(1)、Ga2O3外延层(2)和低掺杂n型Ga2O3薄膜(3)，薄膜上设有高掺杂n型硅离子注入区(4)和绝缘栅介质(7)，离子注入区上设有源电极(5)和漏电极(6)，绝缘栅介质上设有300～500nm厚的有机绝缘介质(8)，有机绝缘介质由P(VDF‑TrFE)、Ag纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)、ZnS纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)和CCTO纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)构成，且设有长度为1～3μm的栅场板(9)，该栅场板上设置有栅电极。本发明击穿电压高，可用于作为功率器件和高压开关器件。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 电压 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高击穿电压场效应晶体管,自下而上包括衬底(1)、Ga2O3外延层(2)和低掺杂n型Ga2O3薄膜(3)，薄膜上设有高掺杂n型离子注入区(4)和绝缘栅介质(7)，在离子注入区上分别设有源电极(5)和漏电极(6)，其特征在于：所述绝缘栅介质(7)上设有其厚度为300nm～500nm有机绝缘介质(8)，该有机绝缘介质(8)采用由P(VDF‑TrFE)、Ag纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)、ZnS纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)和CCTO纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)构成的薄膜介质材料；所述有机绝缘介质(8)中设有长度为1μm～3μm的栅场板(9)，该栅场板上设置栅电极。
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