[发明专利]存储器电荷存储结构中的吸气剂有效

专利信息
申请号: 201710050788.0 申请日: 2011-10-18
公开(公告)号: CN106783867B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 雷特·T·布鲁尔;迪莱·V·拉马斯瓦米 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/11521 分类号: H01L27/11521;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/788;H01L21/28
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及存储器电荷存储结构中的吸气剂、可用于非易失性存储器装置的存储器单元,所述存储器单元包含在其中具有吸气剂的电荷存储结构。提供对电荷存储结构的电荷存储材料中的氧的吸除可促进缓解所述电荷存储材料的有害氧化。
搜索关键词: 存储器 电荷 存储 结构 中的 吸气
【主权项】:
一种存储器单元,其包括:半导体上的第一电介质;所述第一电介质上的电荷存储结构;所述电荷存储结构上的第二电介质;及所述第二电介质上的控制栅极;其中所述电荷存储结构包括含硅材料、金属以及在所述含硅材料和所述金属之间的反应产物。
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