[发明专利]存储器电荷存储结构中的吸气剂有效
申请号: | 201710050788.0 | 申请日: | 2011-10-18 |
公开(公告)号: | CN106783867B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 雷特·T·布鲁尔;迪莱·V·拉马斯瓦米 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11521 | 分类号: | H01L27/11521;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/788;H01L21/28 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及存储器电荷存储结构中的吸气剂、可用于非易失性存储器装置的存储器单元,所述存储器单元包含在其中具有吸气剂的电荷存储结构。提供对电荷存储结构的电荷存储材料中的氧的吸除可促进缓解所述电荷存储材料的有害氧化。 | ||
搜索关键词: | 存储器 电荷 存储 结构 中的 吸气 | ||
【主权项】:
一种存储器单元,其包括:半导体上的第一电介质;所述第一电介质上的电荷存储结构;所述电荷存储结构上的第二电介质;及所述第二电介质上的控制栅极;其中所述电荷存储结构包括含硅材料、金属以及在所述含硅材料和所述金属之间的反应产物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的