[发明专利]一种蓝绿光发光二极管的外延片及制备方法在审
| 申请号： | 201710051020.5 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106816503A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蓝绿光发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子技术领域。该外延片包括平片衬底和依次层叠在平片衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，AlN缓冲层的厚度为dnm，5≤d＜25，由于采用平片衬底，相比使用PSS可以降低制作的成本，由于平片衬底上设置有AlN缓冲层，且AlN缓冲层的厚度为5nm～25nm，AlN缓冲层的晶格常数接近于平片衬底和u型GaN层，从而可以减少外延片中的晶格缺陷，提高外延片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝绿 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝绿光发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括平片衬底和依次层叠在所述平片衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，其中，所述AlN缓冲层的厚度为dnm，5≤d＜25。
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