[发明专利]嵌入式封装有效

专利信息
申请号: 201710051106.8 申请日: 2017-01-23
公开(公告)号: CN106997870B 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 卓尔·赫尔维茨;黄士辅 申请(专利权)人: 珠海越亚半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/48
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 李翔;李弘
地址: 519175 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请涉及一种新型嵌入式封装。一种结构,包括嵌入在聚合物基质中并被该基质包围的至少一个芯片,还包括从围绕芯片周边的聚合物基质中穿过的至少一个通孔,其中通常至少一个通孔具有暴露的两个端部,其中所述芯片被第一聚合物基体的框架围绕,并且所述至少一个通孔穿过所述框架;所述芯片定位为在下表面上具有端子,使得芯片的下表面与框架的下表面共平面,所述框架具有大于所述芯片的厚度,并且金属直接附接到并覆盖所述芯片的上表面的至少一部分。
搜索关键词: 新型 嵌入式 封装
【主权项】:
1.一种用于将芯片连接到PCB的嵌入式芯片封装,所述芯片封装包括芯片,所述芯片具有被芯片高度分隔开的端子面和背面,所述芯片的端子面包含由电介质钝化层包围的金属端子触点,所述芯片被包括第一聚合物基质的框架围绕,所述框架具有在第一框架面和第二框架面之间延伸的框架高度,所述框架高度大于所述芯片高度,其中所述芯片和所述框架之间的间隙填充有包括第二聚合物基质的封装材料,其中所述芯片的一个面和所述封装材料的一个面与所述第一框架面共平面,并且在所述芯片的与共平面的面相对的面上直接附接至少4微米厚的上金属层,所述上金属层至少部分地覆盖所述芯片的与共平面的面相对的面,并且至少部分地填充所述芯片高度与所述框架高度之间的高度差;其中所述嵌入式芯片封装还包括至少4微米厚的下金属层,所述下金属层至少部分地覆盖所述芯片的所述一个面、共平面的第一框架面和所述封装材料的一个面,并且直接附接到所述芯片的所述一个面和第一聚合物基质上;其中直接附接到所述芯片的背面的所述金属层中的至少一部分用作将所述芯片的背面连接到对应的框架面的扇出配置的金属互连特征层。
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