[发明专利]一种低温硫化氢气敏材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201710052874.5 申请日: 2017-01-24
公开(公告)号: CN106885830B 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 崔光亮;张品华;张杰;王晓丽;陈丽 申请(专利权)人: 临沂大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;B82Y30/00;B82Y40/00;C25B1/00;C25D5/54;C25D9/04
代理公司: 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 代理人: 董宝锞
地址: 276005 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种低温硫化氢气敏材料及其制备方法,属于电化学技术领域。解决了现有气敏材料无法实现超低温极端条件下气体探测的问题,所述材料是由连续分布的Cu2O和周期性间隔分布的Co3O4构成的纳米线周期性阵列结构。制备方法包括(1)配置电解液;(2)以硅片或玻璃片为基底,在两铜箔片电极间滴加电解液;(3)在控温生长室内将电解液制冷结冰,放置20‑40分钟;(4)在电极上施加半正弦波形沉积电压使电解质沉积;(5)沉积结束后取出基底并用去离子水清洗,得到附着在基底上的Cu2O/Co3O4基低温H2S气敏材料。本发明可用于超低温极端条件下H2S气体的探测。
搜索关键词: 一种 低温 硫化 氢气 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种低温硫化氢气敏材料,其特征在于:所述低温硫化氢气敏材料是由连续分布的Cu2O和周期性间隔分布的Co3O4构成的纳米线周期性阵列结构。
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