[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体装置不增大接触电阻，不会成为单元间距缩小的障碍，并在形成镍硅化物时，能够防止镍渗入层间绝缘膜。该半导体装置的制造方法在栅极绝缘膜(6)和栅电极(7)上形成层间绝缘膜(8)，将层间绝缘膜(8)开口，形成接触孔。接下来，用氮化钛膜(10)覆盖层间绝缘膜(8)以及通过接触孔而露出的区域(4、5)，通过回蚀刻使氮化钛膜(10)仅残留在栅极绝缘膜(6)和层间绝缘膜(8)的在接触孔露出的端部。接下来，用镍膜覆盖层间绝缘膜(8)以及通过接触孔而露出的区域(4、5)，在去除与层间绝缘膜(8)直接接触的镍膜之后，对镍膜进行加热，形成镍硅化物层(9)。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的宽带隙半导体基板，包括带隙比硅宽的半导体；第一导电型的宽带隙半导体堆积层，堆积于所述宽带隙半导体基板的正面，且杂质浓度比所述宽带隙半导体基板的杂质浓度低；第二导电型区，选择性地设置于所述宽带隙半导体堆积层的相对于所述宽带隙半导体基板侧为相反侧的表面层；第一导电型区，选择性地设置于所述第二导电型区内；栅极绝缘膜，设置于所述宽带隙半导体堆积层的被所述第二导电型区夹住的部分的表面、以及所述第二导电型区的表面；栅电极，设置于所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，覆盖所述栅电极；接触孔，开口于所述层间绝缘膜，且到达所述第二导电型区和所述第一导电型区；镍硅化物层，在所述接触孔的底面与所述第二导电型区和所述第一导电型区接触；表面电极，设置于所述镍硅化物层上；以及背面电极，设置于所述宽带隙半导体基板的背面，其中，所述栅极绝缘膜与所述层间绝缘膜的在所述接触孔露出的端部被氮化钛膜覆盖。