[发明专利]形成在PCB支撑结构处的MEMS压电式换能器有效
| 申请号： | 201710053988.1 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN107032291B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·西尔瓦诺·德索萨;尼克·雷诺-贝兹特 | 申请（专利权）人： | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李丙林;曹桓 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 描述了一种微机电系统MEMS器件(100)，该MEMS器件包括由印刷电路板PCB材料形成的支撑结构(110)，以及形成在该支撑结构(110)处的压电式换能器(120)。此外，描述了一种MEMS组件(390)，该MEMS组件包括安装在部件承载件(392)处的这种MEMS器件(100)。此外，描述了一种用于制造这种MEMS器件(100)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 pcb 支撑 结构 mems 压电 式换能器 | ||
【主权项】：
1.一种微机电系统MEMS器件(100)，包括：/n由印刷电路板PCB材料形成的支撑结构(110)；以及/n形成在所述支撑结构(110)处的压电式换能器(120)；/n其中，所述压电式换能器(120)是至少部分地嵌入所述支撑结构(110)内的层结构。/n
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