[发明专利]超高纯锗棒或锭的杂质浓度检测方法

摘要

本发明提供了一种超高纯锗棒或锭的杂质浓度检测方法，采用直流两探针法检测杂质浓度，所述锗棒或锭在77K恒温下进行检测；所述锗棒或锭径向长度的任一测量点均涂覆铟镓合金；所述两探针测得的等间距电压降U，通过函数关系式计算得到电阻率ρ，再根据函数关系式n＝1/(ρ×q×μ)，计算得到探针笔间的锗棒或锭的平均净杂质浓度n。本发明提供的方法，解决了目前无法检测锗棒或锭的整体杂质浓度的问题，保证待测样品的完整性，检测结果准确，检测效率高，有利于产业化。

主权项

1.一种超高纯锗棒或锭的杂质浓度检测方法，采用直流两探针法检测杂质浓度，其特征在于：所述锗棒或锭在77K恒温下进行检测；所述锗棒或锭的径向长度的任一测量点涂覆铟镓合金；所述两探针测得的等间距电压降U，通过函数关系式计算得到电阻率ρ，式中， I是通过待测锗棒或锭的电流；S是待测锗棒或锭的横截面面积；L是探针间距；再根据函数关系式，计算得到探针笔间的锗棒或锭的平均净杂质浓度n；式中，q 是单位电荷量1.602×10^‑19C；μ 是锗的本征迁移率，77K下为40000 cm²/（V·s）。