[发明专利]用于制造硅外延片的单片式外延炉的外延生长单元及应用

摘要

本发明公开了一种用于制造硅外延片的单片式外延炉的外延生长单元及应用。外延生长单元，主体从上到下依次设有冷却腔，CVD反应腔，密封柄；左右分别设有生长气进气口法兰，生长气出气口法兰；前后分别设有压缩空气进气口，压缩空气出气口。一种采用所述的外延生长单元的用于制造硅外延片的单片式外延炉。本发明通过独特的外延生长单元设计，氯化氢腐蚀的反应速度可以提高约30%，加工厚外延片时，氯化氢腐蚀时间在总的生产时间中的占比从传统外延炉约为30%.降为4%‑6%，另外氯化氢消耗量降低60%‑80%，生产效率提高20%‑25%。

主权项

一种用于制造硅外延片的单片式外延炉的外延生长单元，其特征在于，其主体从上到下依次设有冷却腔（26），CVD反应腔（28），密封柄（29）；左右分别设有生长气进气口法兰（25），生长气出气口法兰（27）；前后分别设有压缩空气进气口（30），压缩空气出气口（31）。