[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710057331.2 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107301980A | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈威宇;杨天中;苏安治;陈宪伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体结构及其形成方法。该结构包括设置在衬底上的介电层。该结构包括在介电层中的空腔，以及定位在空腔中并且接合至衬底的多个接触件。部件接合至多个接触件。底部填充物设置在位于介电层和部件之间的空腔中。多个连接件位于介电层上，连接件穿过介电层连接至导体，导体处于与多个接触件相同的金属化水平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：介电层，设置在再分布层上，所述介电层具有位于其中的空腔，多个接触件定位在所述再分布层上方的所述空腔中；部件，接合至所述多个接触件；底部填充物，设置在位于所述介电层和所述部件之间的所述空腔中；以及多个连接件，位于所述介电层上，所述连接件穿过所述介电层连接至导体，所述导体与所述多个接触件处于相同的金属化水平。
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