[发明专利]耐压功率MOS器件在审
| 申请号： | 201710057594.3 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN106960877A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李俊宏;朱鸿远 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙)51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 耐压功率MOS器件，涉及半导体功率器件。本发明包括漂移区，栅极，源级，源级注入区，沟道注入区，N+注入区，氮化物，漏极，漂移区中设置有低介电常数介质区，低介电常数介质柱区与漂移区直接接触。本发明在不使用高K介质的前提下，使用低K介质来改善功率MOS器件的耐压性能，提高了器件的漏源耐压；因为可以不使用高K介质，所以工艺上也更易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 耐压 功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
耐压功率MOS器件，包括漂移区(1)，栅极(2)，源级(3)，源级注入区(4)，沟道注入区(5)，N+注入区(7),氮化物(8),漏极(9)，其特征在于，漂移区(1)中设置有低介电常数介质区(6)，低介电常数介质柱区(6)与漂移区直接接触。
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