[发明专利]压力传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201710058129.1 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108344532A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 何羽轩;蔡明志;谢明宏 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供压力传感器及其制造方法。压力传感器包括一薄膜晶体管阵列以及覆盖所述薄膜晶体管阵列的一感压层。所述感压层包括在相同平面排列的一维材料或二维材料以及数层绝缘层，所述绝缘层与一维或二维材料交替堆叠，因此能够有效提高压力解析度。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 绝缘层 薄膜晶体管阵列 二维材料 感压层 交替堆叠 平面排列 一维材料 解析度 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：薄膜晶体管阵列；以及感压层，覆盖所述薄膜晶体管阵列，其中所述感压层包括在相同平面排列的多个一维材料以及多层绝缘层，所述多个一维材料和所述多层绝缘层交替堆叠。
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