[发明专利]存储系统及写入方法有效
| 申请号： | 201710058817.8 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN107564566B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 原德正;柴田升 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供能既抑制单元间相互干扰又减小存储控制器的写入缓冲量的存储系统及写入方法。实施方式的存储系统具备：具有多个存储单元的非易失性存储器和存储控制器。所述多个存储单元能存储三位的数据。所述多个存储单元分别使所述三位中的第一位与第一页对应、第二位与第二页对应、第三位与第三页对应。所述存储控制器使所述非易失性存储器执行基于要在所述第一页写入的数据的第一编程。此外，所述存储控制器在所述第一编程后使所述非易失性存储器执行基于要在所述第二及第三页写入的数据的第二编程。 | ||
| 搜索关键词： | 存储系统 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种存储系统，其特征在于，具备：非易失性存储器，其具有多个存储单元，所述多个存储单元能以页为单位进行数据的写入，且各存储单元能利用表示数据已被擦除的擦除状态的阈值区域和表示数据已被写入的写入状态的七个阈值区域来存储三位的数据，所述七个阈值区域为比表示所述擦除状态的阈值电压区域高的阈值电压，所述多个存储单元分别使得所述三位中的第一位与第一页对应、第二位与第二页对应、第三位与第三页对应；和存储控制器，其使所述非易失性存储器执行基于要在所述第一页写入的数据的第一编程，并在所述第一编程后使所述非易失性存储器执行基于要在所述第二页及所述第三页写入的数据的第二编程。
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