[发明专利]一种MEMS器件的制作方法有效
| 申请号： | 201710059049.8 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108341395B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 王明军;汪新学 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS器件的制作方法，所述方法包括:提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面依次形成第一牺牲层和刻蚀停止层；在所述第一牺牲层和刻蚀停止层上形成第二牺牲层；在所述MEMS晶圆的背面形成与所述刻蚀停止层对应的开口，所述开口露出部分所述第一牺牲层；去除露出的所述第一牺牲层，以完全露出所述刻蚀停止层；去除露出的所述刻蚀停止层；去除露出的所述第二牺牲层，以形成背腔。根据本发明提供的MEMS器件的制作方法，通过在第一牺牲层和第二牺牲层之间形成刻蚀停止层，然后去除所述第一牺牲层和所述刻蚀停止层，得到平整的开口底部，避免了后续去除第二牺牲层过程中形成碗形轮廓残留导致的MEMS器件破损，保证了MEMS器件的性能稳定和生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲层 刻蚀停止层 去除 晶圆 开口 制作 碗形轮廓 背腔 良率 破损 背面 平整 残留 保证 生产 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面依次形成第一牺牲层和刻蚀停止层；/n在所述第一牺牲层和刻蚀停止层上形成第二牺牲层；/n在所述第二牺牲层上形成MEMS器件层，所述MEMS器件层由下至上依次包括振动膜、第三牺牲层和背板；/n在所述MEMS晶圆的背面形成与所述刻蚀停止层对应的开口，所述开口露出部分所述第一牺牲层；/n去除露出的所述第一牺牲层，以完全露出所述刻蚀停止层；/n去除露出的所述刻蚀停止层；/n去除露出的所述第二牺牲层，以形成背腔。/n
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