[发明专利]电平转换电路在审
申请号: | 201710059449.9 | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN108233917A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 陆建华;马杰;周帅林 | 申请(专利权)人: | 江苏安其威微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/007 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 226200 江苏省南通市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种电平转换电路,该电路包括第一倒相器、第二倒相器、第三倒相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、初级NPN管组、第三PMOS管、第四PMOS管。其中,初级NPN管组包括第一NPN管和第二NPN管。该电平转换电路能够保证在电平转换电路的外部电源电压超过内部MOS管的击穿电压的情况下,使得所有的MOS管的工作点不超过其的击穿电压而使得其工作在安全工作电压范围内,从而既能够保证所需的电平转换性能,又能够提高电路的可靠性,以保证电路的正常工作。 | ||
搜索关键词: | 电平转换电路 倒相器 电路 击穿电压 安全工作电压 外部电源电压 电平转换 工作点 保证 | ||
【主权项】:
1.一种电平转换电路,其特征在于,包括:第一倒相器,其输入端输入输入信号IN;第二倒相器,其输入端与第一倒相器的输出端连接;第三倒相器,其输入端与第二倒相器的输出端连接;第一NMOS管,其源极端接地,栅极端连接第一倒相器的输出端;第二NMOS管,其源极端接地,栅极端连接第二倒相器的输出端;第三NMOS管,其源极端接地,栅极端连接第三倒相器的输出端;第四NMOS管,其源极端连接第一NMOS管的漏极端;第五NMOS管,其源极端连接第二NMOS管的漏极端;第六NMOS管,其源极端连接第三NMOS管的漏极端;第一PMOS管;第二PMOS管;初级NPN管组,其包括第一NPN管和第二NPN管,第一NPN管的集电极与第一PMOS管的漏极端连接,基极与集电极连接,发射极与第四NMOS管的漏极端连接,第二NPN管的集电极与第二PMOS管的漏极端连接,基极与集电极连接,发射极与第五NMOS管的漏极端连接;第三PMOS管,栅极端与第二PMOS管的漏极端连接;第四PMOS管,其源极端与第三PMOS管的漏极端连接,漏极端与第六NMOS管的漏极端连接,其中,从第四PMOS管的源极端输出输出信号OUT。
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