[发明专利]基板处理装置以及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710059927.6 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN107026108B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 中田高行;谷山智志;白子贤治 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;孙明轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使基板处理装置小型化的基板处理装置以及半导体器件的制造方法，该基板处理装置具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向移载室内的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其与上部气体供给机构的下方相邻地设置，并从第2气体供给口向移载室内的下部区域供给气体，上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；第1管道，其在第1缓冲室的两侧面形成有一对；和第1送风部，其设置在第1管道的下端，下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；第2管道，其形成在第2缓冲室的下表面；和第2送风部，其设置在第2管道的下端。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，具备：移载室，其将基板移载到基板保持件上；上部气体供给机构，其从第1气体供给口向所述移载室内的上部区域供给气体；和下部气体供给机构，其与所述上部气体供给机构相邻地设置在所述上部气体供给机构的下方，并从第2气体供给口向所述移载室内的下部区域供给气体，所述上部气体供给机构具有：第1缓冲室，其形成在第1气体供给口的背面；第1管道，其在所述第1缓冲室的两侧面形成有一对；和第1送风部，其设置在所述第1管道的下端，所述下部气体供给机构具有：第2缓冲室，其形成在第2气体供给口的背面；第2管道，其形成在所述第2缓冲室的下表面；和第2送风部，其设置在所述第2管道的下端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
