[发明专利]一种WSe2基复合纳米片光电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种WSe₂基复合纳米片光电极的制备方法，包括：合成WSe₂纳米片光电极、构筑CdS‑WSe₂异质结光电极和Pt‑In₂S₃‑CdS‑WSe₂复合纳米片光电极。本发明有益效果在于：所需原料来源丰富、合成方法简单、重复性好，材料稳定性好；本发明制备的材料可用于光电催化分解水产氢，具有很好的实用价值和应用前景。

主权项

1.一种WSe2基复合纳米片光电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1合成WO3纳米片光电极；S2合成WSe2纳米片光电极：2.1)称取四氯化硒，平铺于瓷舟内，瓷舟上方放置WO3纳米片光电极，然后置于石英管内，石英管的两端用由锡纸包裹的石英塞子塞住，然后通氩气，之后关闭气体，煅烧；2.2)待冷却至室温，从石英管中取出步骤2.1)中最终得到的产物，用蒸馏水和无水乙醇交替清洗，然后置于真空干燥箱中烘干，即可制得WSe2纳米片光电极；S3合成CdS‑WSe2异质结光电极：3.1)将步骤S2制得的WSe2纳米片光电极置于浓氨水中，加入CdSO4·8/3H2O，然后置于水浴锅中，在水浴条件下进行吸附，吸附完毕后，加入硫脲，水浴条件下沉积；3.2)反应结束后，用镊子将步骤3.1)最终得到的产物取出，用蒸馏水冲洗，然后置于真空干燥箱中干燥，即可获得CdS‑WSe2异质结光电极；S4合成In2S3‑CdS‑WSe2光电极4.1)将CdS‑WSe2异质结光电极置于19mL水中，依次加入冰醋酸和In2(SO4)3，然后置于水浴锅中，在水浴条件下进行吸附，吸附完毕之后，加入硫代乙酰胺，水浴条件下沉积；4.2)反应结束后，用镊子将步骤4.1)最终得到的产物取出，用蒸馏水冲洗然后置于真空干燥箱中烘干，即可获得In2S3‑CdS‑WSe2光电极；S5合成Pt‑In2S3‑CdS‑WSe2复合纳米片光电极5.1)将Na2SO4溶于水，然后加入H2PtCl6·6H2O，不断搅拌下稀释，即可获得含有H2PtCl6·6H2O的硫酸钠溶液；5.2)取步骤5.1)得到的H2PtCl6·6H2O的硫酸钠溶液置于光电化学池中，采用三电极系统，以Pt为对电极，饱和甘汞为参比电极，以In2S3‑CdS‑WSe2光电极为工作电极，使用时间电流曲线法，设定电压‑0.1V，时间为600s，然后打开氙灯，点击运行系统；5.3)反应结束后，用镊子将步骤5.2)最终得到的产物取出，用蒸馏水冲洗，然后置于干燥箱中烘干，即可得到Pt‑In2S3‑CdS‑WSe2复合纳米片光电极。