[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710060649.6 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN107104134B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 江间泰示;三沢信裕;粂野一幸;安田真 | 申请（专利权）人： | 联华电子日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/64 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;金鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，该半导体装置包括第一多晶硅和第二多晶硅作为电阻元件，所述第一多晶硅和第二多晶硅包含诸如硼等的同种杂质并且具有不同的宽度。第一多晶硅包含浓度为C |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一多晶硅，包含第一浓度的第一杂质并且具有第一宽度；以及第二多晶硅，包含比所述第一浓度低的第二浓度的第一杂质，并且具有比所述第一宽度大的第二宽度，其中：所述第一多晶硅的温度系数的符号在所述第一浓度处改变；以及所述第二多晶硅的温度系数的符号在所述第二浓度处改变。
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