[发明专利]一种梯度放大器及其调制方法有效
| 申请号： | 201710060847.2 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN106772163B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡冬日 | 申请（专利权）人： | 上海东软医疗科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/385 | 分类号： | G01R33/385 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200241 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种梯度放大器及其调度方法，梯度放大器包括：多个工作半桥组，每个工作半桥组中包括两个工作半桥，每个工作半桥中分别包括两个IGBT，每个工作半桥中一个IGBT的发射极与另一个IGBT的集电极相连；其中，每个工作半桥组中，每个工作半桥内的两个IGBT的连接点之间连接有梯度线圈，使得电源的输出电流流经工作半桥组中的一个工作半桥中的一个IGBT及所述梯度线圈之后，再流经工作半桥组中的另一个工作半桥中的另一个IGBT。本申请通过采用多个半桥作为主要功率器件，由于流经梯度线圈上的电流是经过N路电流的叠加，由此，使得梯度线圈上的工作频率实现叠加，进而减小梯度线圈上流经的电流的纹波。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梯度 放大器 及其 调制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种梯度放大器，其特征在于，包括：多个工作半桥组，每个工作半桥组中包括两个工作半桥，每个工作半桥中分别包括两个IGBT(绝缘栅双极型晶体管，Insulated Gate Bipolar Transistor)，每个工作半桥中一个IGBT的发射极与另一个IGBT的集电极相连；其中，每个工作半桥组中，每个工作半桥内的两个IGBT的连接点之间连接有梯度线圈，使得电源的输出电流流经工作半桥组中的一个工作半桥中的一个IGBT及所述梯度线圈之后，再流经工作半桥组中的另一个工作半桥中的另一个IGBT；多个续流半桥组，每个续流半桥组中包括两个续流半桥，每个续流半桥中分别包括两个IGBT，每个续流半桥中一个IGBT的发射极与另一个IGBT的发射极相连；其中，工作半桥组中，一个工作半桥内的两个IGBT的连接点与续流半桥组中的一个续流半桥中的一个IGBT的集电极相连，该续流半桥的另一个IGBT的集电极与该续流半桥组中另一个续流半桥中的一个IGBT的集电极相连，该续流半桥组中另一个续流半桥中的另一个IGBT的集电极与工作半桥组中另一个工作半桥内的两个IGBT的连接点相连。
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