[发明专利]以压电材料为IC器件的高频RBT的栅极介电质的方法有效
| 申请号： | 201710061404.5 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107039259B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | Z·克里沃卡皮奇;B·巴尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及以压电材料为IC器件的高频RBT的栅极介电质的方法。本发明为利用压电材料作为一集成电路器件中的RBT中的一栅极介电层，以生成并感测高质量的更高频率的信号的方法及其器件。本发明的实施例包括形成包含多个传感RBT与驱动RBT的RBT于一半导体层的一上表面上，各该RBT包括一压电栅极介电层、一栅极、以及位于该压电栅极介电层的相对侧上与栅极上的一介电间隔，其中，至少一对传感RBT直接位于两组驱动RBT之间；形成通过层间介电层分隔的金属层于该RBT上方；以及形成通孔以通过该RBT上方的一介电层连接该RBT至一金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 材料 ic 器件 高频 rbt 栅极 介电质 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，其特征为，该方法包括：形成包含多个传感RBT与驱动RBT的谐振体晶体管(RBT)于一半导体层的一上表面上，各该RBT包括一压电栅极介电层、一栅极、以及位于该压电栅极介电层的相对侧上与栅极上的一介电间隔，其中，至少一对传感RBT直接位于两组驱动RBT之间；形成通过层间介电层分隔的多层金属层于该RBT上方；以及形成通孔以通过该RBT上方的一介电层连接该RBT至一金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
