[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710061437.X | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107180822B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 仲野逸人;仲村秀世 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/03 | 分类号： | H01L25/03 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供抑制在并联的半导体模块中产生的电流不平衡的半导体装置及其制造方法。该半导体装置(100)包括：半导体模块(10A)；开关电压的阈值比半导体模块(10A)的开关电压的阈值低的半导体模块(10B)；以及相对于共用端子将半导体模块(10A)和半导体模块(10B)的汇流排(31、32)并联，其中，半导体模块(10B)连接到相对于共用端子的电感比半导体模块(10A)大的汇流排(32)上的连接点上。阈值电压较低的半导体模块(10B)比相对于共用的开关电压的输入而阈值电压较高的半导体模块(10A)更快速导通，但由于电流的上升受到汇流排(32)的较高的电感抑制，因此可以抑制电流不平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一半导体模块；第二半导体模块，其内置有第二半导体元件，所述第二半导体元件的开关电压的阈值比所述第一半导体模块的第一半导体元件的开关电压的阈值低；以及汇流排，将所述第一半导体模块和所述第二半导体模块的各个外部端子相对于共用端子进行并联，其中，所述第二半导体模块在所述汇流排上的连接点至所述共用端子的电流通路的电感大于所述第一半导体模块在所述汇流排上的连接点至所述共用端子的电流通路的电感。
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