[发明专利]金属氧化物半导体层的结晶方法、半导体结构、主动阵列基板、及氧化铟镓锌晶体有效
| 申请号： | 201710061636.0 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN106783627B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 叶家宏;黄景亮 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明提供金属氧化物半导体层的结晶方法、半导体结构、半导体结构的制作方法、主动阵列基板、及氧化铟镓锌晶体。结晶方法包含以下步骤：形成一非结晶金属氧化物半导体层于一基板上方；形成一氧化物层于非结晶金属氧化物半导体层上；形成一非晶硅层于氧化物层上；以及以一激光照射非晶硅层，以加热非晶硅层，受热的非晶硅层加热非结晶金属氧化物半导体层，使非结晶金属氧化物半导体层转变为一结晶化金属氧化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 结晶 方法 结构 主动 阵列 氧化 铟镓锌 晶体 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体层的结晶方法，其特征在于，包含：/n形成一非结晶金属氧化物半导体层于一基板上方；/n形成一第一氧化物层于该非结晶金属氧化物半导体层上；/n形成一非晶硅层于该第一氧化物层上；以及/n以一激光照射该非晶硅层，以加热该非晶硅层，受热的该非晶硅层加热该非结晶金属氧化物半导体层，使该非结晶金属氧化物半导体层转变为一结晶化金属氧化物半导体层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
