[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池领域。本发明公开了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述硅基异质结太阳能电池包括晶硅基片、第一本征非晶层、第二本征非晶层、第一掺杂层、第二掺杂层、第一透明导电层及第二透明导电层，其中，第一透明导电层和/或第二透明导电层是由金属膜层和电介质膜层构成的透明导电叠层。金属膜层为银膜层、金膜层、铝膜层、铜膜层、铬膜层、钼膜层、钨膜层、铌膜层或其合金材料膜层。本发明的透明导电叠层比传统的透明导电氧化物膜层具有更低的方块电阻、同时对中远红外线具有较强的反射能力，可提高硅基异质结太阳能电池的性能。

主权项

一种硅基异质结太阳能电池，包括晶硅基片，所述晶硅基片的受光面和背面分别设置有第一本征非晶层和第二本征非晶层，所述第一本征非晶层上设置有第一掺杂层，所述第二本征非晶层上设置有第二掺杂层，所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层，所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层，其特征在于：所述第一透明导电层和/或所述第二透明导电层由金属膜层和电介质膜层构成，所述电介质膜层覆盖在所述金属膜层的上下两表面，所述金属膜层的总厚度≤20nm；所述第一掺杂层为p型掺杂层且第二掺杂层为n型掺杂层时，与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV，和/或与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV；所述第一掺杂层为n型掺杂层且第二掺杂层为p型掺杂层时，与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV，和/或与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV。