[发明专利]π电子轨域半导体型量子电池在审
| 申请号： | 201710063989.4 | 申请日： | 2017-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN106653135A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈柏瑞 | 申请（专利权）人： | 陈柏瑞 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 | 代理人： | 仲伯煊 |
| 地址： | 中国台湾台北市信义*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及π电子轨域半导体型量子电池，自下而上包括N型欧姆接触电极、N型π电子轨域半导体基板和N型π电子轨域半导体外延层，SiO2钝化层设于N型π电子轨域半导体外延层上表面两侧，石墨接触层设于N型π电子轨域半导体外延层上表面中部，放射性同位素源层设于石墨接触层上方，肖特基接触电极设于SiO2钝化层与石墨接触层相邻处上方，键合层设于肖特基接触电极上方，N型π电子轨域半导体基板是含芳香族结构或碳键结构的有机半导体基板，N型π电子轨域半导体外延层的掺杂浓度为1×1013～5×1014cm‑3。外延层的载流子浓度低，耗尽区宽度大，产生的电子空穴对的收集率极高，进而改善开路电压和能量转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 半导体 量子 电池 | ||
【主权项】：
π电子轨域半导体型量子电池，其特征在于，自下而上包括：N型欧姆接触电极、N型π电子轨域半导体基板和N型π电子轨域半导体外延层，SiO2钝化层设于N型π电子轨域半导体外延层的上表面两侧，石墨接触层设于N型π电子轨域半导体外延层的上表面中部，放射性同位素源层设于石墨接触层上方，肖特基接触电极设于SiO2钝化层与石墨接触层相邻处的上方，键合层设于肖特基接触电极上方，其中，N型π电子轨域半导体基板是含芳香族结构的有机半导体基板或含碳键结构的半导体基板，N型π电子轨域半导体外延层的掺杂浓度为1×1013～5×1014cm‑3，掺杂浓度是通过注入剂量为6×1013～1×1015cm‑2的阳离子错合物所形成。
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