[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710064351.2 | 申请日： | 2017-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN107068741B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 藤田光一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 得到一种能够防止高频电力增益的下降、能够小型化的半导体装置及其制造方法。源极电极(12)具有：第1源极电极(12a)；第2源极电极(12b)，其是第2阶层或者更高阶层的电极，形成于第1源极电极(12a)之上；以及第3源极电极(12c)，其是第3阶层或者更高阶层的电极，形成于第2源极电极(12b)之上，且形成于栅极引出电极(15)的上方。栅极引出电极(15)是第2阶层或者更高阶层的电极，形成于第1源极电极(12a)之上，栅极引出电极(15)的周围被第1、第2及第3源极电极(12a、12b、12c)包围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有大于或等于3个阶层的电极，该半导体装置的特征在于，具有：半导体衬底；外延层，其形成于所述半导体衬底之上；晶体管，其形成于所述外延层；源极电极，其形成于所述外延层之上，与所述晶体管的源极电连接；以及栅极引出电极，其形成于所述外延层之上，与所述晶体管的栅极电连接，所述源极电极具有：第1源极电极；第2源极电极，其是第2阶层或者更高阶层的电极，形成于所述第1源极电极之上；以及第3源极电极，其是第3阶层或者更高阶层的电极，形成于所述第2源极电极之上，且形成于所述栅极引出电极的上方，所述栅极引出电极是第2阶层或者更高阶层的电极，形成于所述第1源极电极之上，所述栅极引出电极的周围被所述第1、第2及第3源极电极包围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710064351.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
