[发明专利]半导体装置

摘要

提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源区域和第二有源区域以及在第一有源区域与第二有源区域之间并且接触第一有源区域和第二有源区域的场绝缘膜；栅电极结构，横越第一有源区域和第二有源区域以及场绝缘膜，其中，栅电极结构包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分横跨第一有源区域和场绝缘膜设置，第二部分横跨第二有源区域和场绝缘膜设置，第三部分接触第一部分和第二部分。栅电极结构包括具有插入膜和在插入膜上的填充膜的栅电极，插入膜横越第一有源区域和第二有源区域以及场绝缘膜。在第三部分中的栅电极的厚度不同于在第一部分和第二部分中的栅电极的厚度。

主权项

一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一有源区域、第二有源区域和场绝缘膜，所述场绝缘膜在第一有源区域与第二有源区域之间直接接触第一有源区域和第二有源区域；以及栅电极结构，在基底上横越第一有源区域、第二有源区域和场绝缘膜，其中，栅电极结构包括第一部分、第二部分和第三部分，其中，第一部分横跨第一有源区域和场绝缘膜设置，第二部分横跨第二有源区域和场绝缘膜设置，第三部分在场绝缘膜上直接接触第一部分和第二部分，其中，栅电极结构还包括栅电极，所述栅电极包括横越第一有源区域、场绝缘膜和第二有源区域的插入膜以及设置在插入膜上的填充膜，其中，在栅电极结构的第三部分中的栅电极的厚度不同于在栅电极结构的第一部分中的栅电极的厚度，其中，在栅电极结构的第三部分中的栅电极的厚度不同于在栅电极结构的第二部分中的栅电极的厚度。