[发明专利]用于降低动态功率和峰值电流的SRAM位线和写入辅助装置与方法及双输入电平移位器有效
| 申请号： | 201710066008.1 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107093440B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | H·T·恩戈;D·J·卡明斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;G11C7/12;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 杨佳婧 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种装置，包括成组耦合在一起的多个存储器阵列、本地写入辅助逻辑单元、和读取/写入本地列复用器，以使得由所述组中的所述本地写入辅助逻辑单元和所述读取/写入本地列复用器占用的面积小于在使用全局写入辅助逻辑单元和读取/写入全局列复用器时所占用的面积。描述了一种具有集成锁存器的双输入电平移位器。描述了一种装置，包括：写入辅助脉冲发生器，所述写入辅助脉冲发生器工作在第一电源上；一个或多个上拉器件，所述一个或多个上拉器件耦合到所述写入辅助脉冲发生器，所述一个或多个上拉器件工作在与所述第一电源不同的第二电源上；以及输出节点，输出节点用以向存储器单元提供电源。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 动态 功率 峰值 电流 sram 写入 辅助 装置 方法 输入 电平 移位 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：分段式存储器阵列，其具有包括第一存储器子阵列和第二存储器子阵列的多个存储器子阵列，其中，所述第一存储器子阵列包括行和列，并且其中，所述第二存储器子阵列包括行和列；多个局部控制电路，其包括第一局部控制电路和第二局部控制电路，其中，所述第一局部控制电路耦合到所述第一存储器子阵列，并且其中，所述第二局部控制电路耦合到所述第二存储器子阵列；多个局部输入‑输出电路，其包括第一局部输入‑输出电路和第二局部输入‑输出电路，其中，所述第一局部输入‑输出电路耦合到所述第一存储器子阵列，并且其中，所述第二局部输入‑输出电路耦合到所述第二存储器子阵列；全局输入‑输出电路，其耦合到所述第一局部输入‑输出电路并且耦合到所述第二局部输入‑输出电路；以及全局控制电路，其耦合到所述第一局部控制电路并且耦合到所述第二局部控制电路。
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