[发明专利]薄膜晶体管及制备方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在基板上形成有源层；在形成有有源层的基板上形成栅极绝缘层；对栅极绝缘层进行图形化，以形成垂直于基板的第一刻蚀槽及第二刻蚀槽；在栅极绝缘层上形成金属层，且金属层覆盖第一刻蚀槽及第二刻蚀槽；对金属层进行图形化，第一电极及第二电极形成存储电容器；在栅极绝缘层、栅极及存储电容器上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成源极及漏极，源极及漏极分别与有源层连接。上述薄膜晶体管的制备方法，制备工艺简单，生产效率较高。而且，第一电极与第二电极在垂直于基板的方向形成，可以减少光被电极遮挡的可能性，增加薄膜晶体管的开口率，增加薄膜晶体管的存储电容器的容量。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成有源层；在形成有所述有源层的所述基板上形成栅极绝缘层；对所述栅极绝缘层进行图形化，以形成垂直于所述基板的第一刻蚀槽及第二刻蚀槽；在所述栅极绝缘层上形成金属层，且所述金属层覆盖所述第一刻蚀槽及所述第二刻蚀槽；对所述金属层进行图形化，以形成栅极、第一电极及第二电极，所述第一电极位于所述第一刻蚀槽内，所述第二电极位于所述第二刻蚀槽内，所述第一电极及所述第二电极形成存储电容器；在所述栅极绝缘层、所述栅极及所述存储电容器上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成源极及漏极，所述源极及所述漏极分别与所述有源层连接；其中，在对所述栅极绝缘层进行图形化的步骤中，还包括在所述栅极绝缘层上与所述栅极对应的位置形成第三刻蚀槽，所述第三刻蚀槽与所述基板垂直，以使栅极在第三刻蚀槽内。