[发明专利]一种不易变形的碳化硅基芯片背面工艺有效
| 申请号： | 201710067063.2 | 申请日： | 2017-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN106783719B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 孙锦洋 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造工艺技术领域，具体涉及一种不易变形的碳化硅基芯片背面工艺，包括以下步骤：S1、在完成正面工艺的碳化硅基芯片正面旋涂或喷淋粘胶剂；S2、将碳化硅基芯片与高硼硅玻璃衬底或者将碳化硅基芯片与硅酸硼玻璃衬底进行键合；S3、对键合好的碳化硅基芯片完成后续背面工艺；S4、将完成后续背面工艺的碳化硅基芯片与高硼硅玻璃衬底或者碳化硅基芯片与硅酸硼玻璃衬底进行分离。本发明使用和碳化硅热膨胀系数相近的高硼硅玻璃衬底或硅酸硼玻璃衬底作为临时键合载片，不仅对减薄后的碳化硅基芯片提供支撑和保护，更能在高温工艺后不增加翘曲度，从而可以精确控制碳化硅基芯片减薄后的最终厚度和均匀度，进而确保成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不易 变形 碳化硅 芯片 背面 工艺 | ||
【主权项】：
一种不易变形的碳化硅基芯片背面工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、在完成正面工艺的碳化硅基芯片正面旋涂或喷淋粘胶剂；S2、将碳化硅基芯片与高硼硅玻璃衬底或者将碳化硅基芯片与硅酸硼玻璃衬底进行键合；S3、对键合好的碳化硅基芯片完成后续背面工艺；S4、将完成后续背面工艺的碳化硅基芯片与高硼硅玻璃衬底或者碳化硅基芯片与硅酸硼玻璃衬底进行分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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