[发明专利]一种绝缘型界面导热衬垫材料及其制备方法有效
申请号: | 201710069168.1 | 申请日: | 2017-02-08 |
公开(公告)号: | CN106833367B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 刘伟德 | 申请(专利权)人: | 昆山市中迪新材料技术有限公司 |
主分类号: | C09D183/04 | 分类号: | C09D183/04;C09D5/25;C09D5/18;C09D7/61;C08L83/04;C08K13/02;C08K3/22;C08K3/28;H05K7/20;B32B27/28;B32B27/36;B32B9/00;B32B9/04;B3 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 钱学宇 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种绝缘型界面导热衬垫材料及其制备方法。本发明绝缘型界面导热衬垫材料在导热界面材料外侧设置绝缘材料层,得到特定的核壳结构或三明治结构,结合特定成分及组成的绝缘材料层,有助于提高本发明绝缘型界面导热衬垫材料的绝缘效果,同时使其保持优异的导热效果,绝缘材料所引起的导热垫片本体的导热率损失小,是一种绝缘性超高导热衬垫材料。本发明方法工艺简单,可通过自动化工艺快捷操作,便于电子工业中的快速生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 绝缘 界面 导热 衬垫 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种绝缘型界面导热衬垫材料,其特征在于,在导热界面材料表面设置绝缘材料层,形成具有核壳结构的绝缘型界面导热衬垫材料,或者在导热界面材料两侧分别设置绝缘材料层,形成具有三明治结构的绝缘型界面导热衬垫材料;所述绝缘材料层包括均匀掺杂导热陶瓷材料粉体的高分子材料层,其中所述导热陶瓷材料用量为不低于绝缘材料层总质量的30%;所述导热陶瓷材料包括三氧化二铝、氮化硼、氮化铝、碳化硅、碳酸钙和二氧化硅中的一种或多种;所述高分子材料具备流动性,或被溶剂稀释后具备流动性;所述高分子材料包括有机硅聚合物和聚酯类聚合物中的一种或多种;所述具有核壳结构的绝缘型界面导热衬垫材料中绝缘材料层的电阻率为106Ω·cm以上;所述具有核壳结构的绝缘型界面导热衬垫材料中绝缘材料层的导热系数为0.5W/mK以上;所述具有核壳结构的绝缘型界面导热衬垫材料中绝缘材料层的厚度为10‑1000μm;所述具有三明治结构的绝缘型界面导热衬垫材料中绝缘材料层的电阻率为106Ω·cm以上;所述具有三明治结构的绝缘型界面导热衬垫材料中绝缘材料层的导热系数为1.5W/mK以上;所述具有三明治结构的绝缘型界面导热衬垫材料中绝缘材料层的厚度为0.1‑5mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山市中迪新材料技术有限公司,未经昆山市中迪新材料技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710069168.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:修复机动车涂层内缺陷的方法
- 下一篇:一种水性有机硅石材防护剂的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
C09 染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用
C09D 涂料组合物,例如色漆、清漆或天然漆;填充浆料;化学涂料或油墨的去除剂;油墨;改正液;木材着色剂;用于着色或印刷的浆料或固体;原料为此的应用
C09D183-00 基于由只在主链中形成含硅的、有或没有硫、氮、氧或碳键反应得到的高分子化合物的涂料组合物;基于此种聚合物衍生物的涂料组合物
C09D183-02 .聚硅酸酯
C09D183-04 .聚硅氧烷
C09D183-10 .含有聚硅氧烷链区的嵌段或接枝共聚物
C09D183-14 .其中至少两个,但不是所有的硅原子与氧以外的原子连接
C09D183-16 .其中所有的硅原子与氧以外的原子连接
C09D 涂料组合物,例如色漆、清漆或天然漆;填充浆料;化学涂料或油墨的去除剂;油墨;改正液;木材着色剂;用于着色或印刷的浆料或固体;原料为此的应用
C09D183-00 基于由只在主链中形成含硅的、有或没有硫、氮、氧或碳键反应得到的高分子化合物的涂料组合物;基于此种聚合物衍生物的涂料组合物
C09D183-02 .聚硅酸酯
C09D183-04 .聚硅氧烷
C09D183-10 .含有聚硅氧烷链区的嵌段或接枝共聚物
C09D183-14 .其中至少两个,但不是所有的硅原子与氧以外的原子连接
C09D183-16 .其中所有的硅原子与氧以外的原子连接