[发明专利]一种LED外延片结构在审
| 申请号： | 201710069331.4 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN106848012A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 何苗;丛海云;郑树文;黄波 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510631 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延片结构，包括从下至上依次设置的第二衬底、第四本征半导体层、第二N型GaN层、第二P型GaN层、第五本征半导体层、第二量子阱层、第六本征半导体层以及第三N型GaN层。本发明的LED外延片结构将P型GaN层置于外延片的内部，并且使其与设置在其下方的N型GaN层的界面形成隧道结，这样则能避免金属电极和P型GaN层的接触，解决电极材料与P型电导层之间的接触匹配问题，提高了光电转换效率。本发明作为一种LED外延片结构可广泛应用于半导体电子器件领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种LED外延片结构，其特征在于：包括从下至上依次设置的第二衬底、第四本征半导体层、第二N型GaN层、第二P型GaN层、第五本征半导体层、第二量子阱层、第六本征半导体层以及第三N型GaN层。
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