[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法

摘要

本发明提供一种显示装置及显示装置的制造方法，其目的在于减小薄膜晶体管的电流偏差，提高驱动能力。设于周边区域(PR)的多个薄膜晶体管为交错型的第一薄膜晶体管(TFT1)，其具有由低温多晶硅构成的第一沟道层(CH1)，且在第一源电极(SE1)及第一漏电极(DE1)各自与第一栅电极(GE1)之间不存在第一沟道层。设于显示区域(DR)的多个薄膜晶体管包括交错型的第二薄膜晶体管(TFT2)，其具有由氧化物半导体构成的第二沟道层(CH2)，且在第二源电极(SE2)及第二漏电极(DE2)各自与第二栅电极(GE2)之间不存在第二沟道层。第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管相比位于更下层的位置。

主权项

一种显示装置，其特征在于，具有：多个像素电极，其设于用于显示图像的显示区域；共用电极，其配置在所述多个像素电极的上方；发光元件层，其夹设在所述多个像素电极与所述共用电极之间；以及由多个层构成的电路层，所述多个层从所述显示区域到达位于所述显示区域的外侧的周边区域，所述电路层在所述显示区域及所述周边区域分别具有多个薄膜晶体管，设于所述周边区域的所述多个薄膜晶体管为交错型的第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管具有由低温多晶硅构成的第一沟道层，且在第一源电极与第一栅电极之间及第一漏电极与第一栅电极之间不存在所述第一沟道层，设于所述显示区域的所述多个薄膜晶体管包括交错型的第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的第二沟道层，且在第二源电极与第二栅电极之间及第二漏电极与第二栅电极之间不存在所述第二沟道层，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管相比位于更上层的位置。