[发明专利]III族氮化物结晶制造方法以及RAMO4基板在审
| 申请号： | 201710070303.4 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN107230611A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 田代功;片冈秀直;冈山芳央;横山信之;鹰巢良史 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于，在III族氮化物的制造中将RAMO4基板容易地再利用。解决方法为一种III族氮化物结晶制造方法，其具有准备RAMO4基板的工序，所述RAMO4基板包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)，在侧部具有切口；在所述RAMO4基板上使III族氮化物结晶生长的工序；和以上述切口为起点使所述RAMO4基板劈开的工序。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 结晶 制造 方法 以及 ramo4 基板 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物结晶制造方法，其具有：准备RAMO4基板的工序，所述RAMO4基板包含通式RAMO4所表示的单晶体，且在侧部具有切口，通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素；在所述RAMO4基板上使III族氮化物结晶生长的工序；和以所述切口为起点使所述RAMO4基板劈开的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
