[发明专利]一种基于晶体氧化剂的LBO晶体抛光方法在审
| 申请号： | 201710070742.5 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN106826408A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王占山;朱杰;姬梦 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B13/00;C09G1/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 翁惠瑜 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于晶体氧化剂的LBO晶体抛光方法，包括以下步骤：采用粒径小于W10的刚玉粉做磨料对LBO晶体进行研磨；采用粒径不大于1μm的氧化铈抛光液对LBO晶体进行粗抛光；采用粒径为50nm‑100nm的碱性胶体抛光液进行精抛光；将LBO晶体表面浸入有机溶剂，用超声波清洗机进行超声刻蚀处理；采用无水乙醇和乙醚混合液在沥青盘上对LBO晶体进行再次抛光。与现有技术相比，本发明在抛光过程中加入了晶体氧化剂，可以更加快速高效的抛光LBO晶体，同时搭配设计夹具可应用于低成本的双轴研抛机，适用于实验室及大批量加工。并且操作简便，可靠性强，适用于多种类似晶体研磨抛光，工艺流程所耗时间短，便于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 晶体 氧化剂 lbo 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于晶体氧化剂的LBO晶体抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：1)采用粒径小于W10的刚玉粉做磨料在铜合金盘上对LBO晶体进行研磨；2)采用粒径不大于1μm的氧化铈抛光液在沥青盘上对LBO晶体进行粗抛光，所述氧化铈抛光液的浓度在所述粗抛光过程中逐步降低；3)采用粒径为50nm-100nm的碱性胶体抛光液在聚氨酯抛光垫对LBO晶体进行精抛光，所述碱性胶体抛光液的成分包括二氧化硅、三氧化铝、三氧化钼、氧化铈、氧化镁中的一种或多种；4)将LBO晶体表面浸入有机溶剂，用超声波清洗机进行超声刻蚀处理；5)采用无水乙醇和乙醚混合液在沥青盘上对LBO晶体进行再次抛光。
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